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倾佳电子有限公司上海办事处企业黄页

主营业务:上海SiC碳化硅MOSFET,基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一级代理商,中国SiC碳化硅功率器件-基本公司,碳化硅功率器件国产化,基...

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公司名称: 倾佳电子有限公司上海办事处 公司类型: 企业单位 (制造商)
所 在 地: 上海市 公司规模: 200-1000人
注册资本: 100万人民币 注册年份: 2018
资料认证:
保 证 金: 已缴纳 0.00
经营模式: 制造商
经营范围: 上海SiC碳化硅MOSFET,基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一级代理商,中国SiC碳化硅功率器件-基本公司,碳化硅功率器件国产化,基本公司碳化硅MOSFET器件,BASiC公司碳化硅MOSFET,SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET单管替代单管IGBT,SiC碳化硅MOSFET功率模块替代IGBT模块,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,SiC碳化硅MOSFET升级替代IGBT,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圆,SiC碳化硅SBD晶圆,SiC碳化硅二极管晶圆,eVTOL电
销售的产品: 上海SiC碳化硅MOSFET,基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一级代理商,中国SiC碳化硅功率器件-基本公司,碳化硅功率器件国产化,基本公司碳化硅MOSFET器件,BASiC公司碳化硅MOSFET,SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET单管替代单管IGBT,SiC碳化硅MOSFET功率模块替代IGBT模块,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,SiC碳化硅MOSFET升级替代IGBT,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圆,SiC碳化硅SBD晶圆,SiC碳化硅二极管晶圆,eVTOL电
采购的产品: 未填写
主营行业:
综合行业
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何确保?电力电子系统研发商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供应商提供可靠性测试报告的原始数据和器件封装的FT数据。SiC碳化硅MOSFET可靠性报告原始数据主要来自以下可靠性测试环节的测试前后的数据对比,通过对齐可靠性报告原始数据测试前后漂移量的对比,从而反映器件的可靠性控制标准及真实的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性报告原始数据主要包括以下数据:SiC碳化硅MOSFET高温反偏High Temperature Reverse Bias HTRBTj=175℃VDS=100%BVSiC碳化硅MOSFET高温栅偏(正压)High Temperature Gate Bias(+)HTGB(+)Tj=175℃VGS=22VSiC碳化硅MOSFET高温栅偏(负压)High Temperature Gate Bias(-)HTGB(-)Tj=175℃VGS=-8VSiC碳化硅MOSFET高压高湿高温反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse BiasHV-H3TRBTa=85℃RH=85%VDS=80%BVSiC碳化硅MOSFET高压蒸煮AutocleACTa=121℃RH=100%15psigSiC碳化硅MOSFET温度循环Temperature CyclingTC-55℃ to 150℃SiC碳化硅MOSFET间歇工作寿命Intermittent Operational LifeIOL△Tj≥100℃Ton=2minToff=2minFT数据来自碳化硅MOSFET功率器件FT测试(Final Test,也称为FT)是...

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