压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的，
采用平板电容器的计算公式，（注意单位）
C=ε×S／d
C—电容量（F）
ε—介质的介电系数（F／m）
S—电极面积（m2）
d—介质厚度（m）。
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C=ε×S／d
C—电容量（F）
ε—介质的介电系数（F／m）
S—电极面积（m2）
d—介质厚度（m）。
多元系压电陶瓷能够弥补低元系陶瓷性能单一的缺陷，具备压电、介电和机械II生能较全的优点，应用领域更加广泛。如工业生产、科学实验、保证产品质量、提高生产效率、节约能源、促进科技的发展等方面起着重要作用。大功率压电陶瓷材料是以高机械品质因数 (Q )、机电耦合系数(K。)和低介电损耗(tan 8)等为特征的综合性能优越的压电陶瓷，在近些年成为压电陶瓷材料领域里研究的热点之一。纯的PZT材料的Q 和K。是一对相互制约的因素，一个高，另一个必然低。所以目前在大功率压电材料的研究领域 中，研究者的目光大都集中在碲锰酸铅(PMS)、铌锰酸铅(PMN)、铌锌酸铅(PzN)等组元和 PZT组成的三元、四元和多元系的研究上『1J。
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